晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上*晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示。

        晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過(guò)載能力差，因此在使用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)發(fā)生燒壞晶閘管的現(xiàn)象。

        晶閘管燒壞都是由溫度過(guò)高造成的，而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管的原因很多，總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn)，就是說(shuō)如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來(lái)彌補(bǔ)。

        從晶閘管的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv／dt、di／dt、漏電、開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等，甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數(shù)性能的下降或線路問(wèn)題會(huì)造成晶閘管燒損，從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過(guò)解剖燒損的晶閘管就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管燒壞的。

        一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說(shuō)的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問(wèn)題，線路中產(chǎn)生了過(guò)電壓，且對(duì)晶閘管所采取的保護(hù)措施失效。

        晶閘管因?yàn)槠涮匦詫?dǎo)致比較容易出現(xiàn)損壞現(xiàn)象，因此我們?cè)谶x購(gòu)過(guò)程中，應(yīng)由其注意這方面的問(wèn)題，關(guān)于晶閘管的相關(guān)知識(shí)，后續(xù)我們將繼續(xù)為大家進(jìn)行介紹。